成都鸿辰光子取得高内量子效率光电芯片结构及其设计方法专利
作者：小编 日期：2025-08-25 13:30:29 点击数：
金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，成都鸿辰光子半导体科技有限公司取得一项名为“一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法”的专利，授权公告号CN119381892B，申请日期为2024年10月。
天眼查资料显示，成都鸿辰光子半导体科技有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都鸿辰光子半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可9个。Kaiyun官网登录入口 开云网站
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