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本源量子申请刻蚀铝膜的方法以及超导量子芯片专利降低成本、提高安全性的同时保持较高的铝膜品质

作者:小编 日期:2025-08-25 13:30:39 点击数: 

  金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请一项名为“刻蚀铝膜的方法以及超导量子芯片”的专利,公开号CN120529820A,申请日期为2024年02月。

  专利摘要显示,本发明公开了一种刻蚀铝膜的方法以及超导量子芯片。刻蚀铝膜的方法,包括:提供表面形成有铝膜的衬底;在铝膜上确定目标图形,对目标图形以外的铝膜进行IBE刻蚀,形成与目标图形对应的目标结构,目标结构的侧壁与衬底形成预设夹角;采用铝腐蚀液对目标结构的侧壁进行湿法刻蚀,以增大预设夹角。超导量子芯片包括谐振腔,谐振腔采用刻蚀铝膜的方法得到。由于IBE刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺成本低,且无需使用危险气体,从而能够在降低成本、提高安全性的同时保持较高的铝膜品质。

  天眼查资料显示,本源量子计算科技(合肥)股份有限公司,成立于2017年,位于合肥市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000.0008万人民币。通过天眼查大数据分析,本源量子计算科技(合肥)股份有限公司共对外投资了11家企业,参与招投标项目103次,财产线条,此外企业还拥有行政许可6个。kaiyun平台官网登录 开云网站

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